Compositional evolution of Pd-based nanoclusters under thermal annealing in ion implanted SiO2

Mattei, Giovanni; Battaglin, Giancarlo; Bello, V.; Cattaruzza, Elti; De Julian Fernandez, C.; De Marchi, G.; Maurizio, C.; Mazzoldi, Paolo; Parolin, M.; Sada, Cinzia

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Sequential ion implantation has been used to synthesize Pd-based alloy nanoclusters in SiO2. Three systems have been investigated (PdCu, PdAg and PdFe) in terms of nanocluster formation and stability under thermal annealing. In particular, we focused on the role played by the annealing atmosphere. A comparison is made with similar alloy-based systems obtained by sequential ion implantation in silica of Au-Ag or Au-Cu followed by annealing under similar conditions. Strong similarities have been found in the compositional evolution of Pd-based and Au-based nanoclusters.

Titolo:	Compositional evolution of Pd-based nanoclusters under thermal annealing in ion implanted SiO2
Autori:	MATTEI, Giovanni BATTAGLIN, Giancarlo V. Bello CATTARUZZA, Elti C. De Julian Fernandez G. De Marchi C. Maurizio MAZZOLDI, Paolo M. Parolin SADA, Cinzia mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Data di pubblicazione:	2004
Rivista:	NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH. SECTION B, BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS
Abstract:	Sequential ion implantation has been used to synthesize Pd-based alloy nanoclusters in SiO2. Three systems have been investigated (PdCu, PdAg and PdFe) in terms of nanocluster formation and stability under thermal annealing. In particular, we focused on the role played by the annealing atmosphere. A comparison is made with similar alloy-based systems obtained by sequential ion implantation in silica of Au-Ag or Au-Cu followed by annealing under similar conditions. Strong similarities have been found in the compositional evolution of Pd-based and Au-based nanoclusters.
Handle:	http://hdl.handle.net/10278/23182
Appare nelle tipologie:	2.1 Articolo su rivista

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Nucl Instr Meth B 218 433 Compositional evolution of Pd-based nanoclusters under thermal annealing in ion implanted SiO2.pdf		Post-print	Accesso chiuso-personale	Riservato

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